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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BUK7614-55A,118
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3,073
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NXP USA Inc. MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 166W (Tc) N-Channel 55V 73A (Tc) 14 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - 2464pF @ 25V 10V ±20V
IPD096N08N3GATMA1
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 73A OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 100W (Tc) N-Channel 80V 73A (Tc) 9.6 mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35nC @ 10V 2410pF @ 40V 6V, 10V ±20V
IPD70P04P409ATMA1
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Infineon Technologies MOSFET P-CH TO252-3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-313 75W (Tc) P-Channel 40V 73A (Tc) 8.9 mOhm @ 70A, 10V 4V @ 120µA 70nC @ 10V 4810pF @ 25V 10V ±20V
IRFS4610TRLPBF
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 190W (Tc) N-Channel 100V 73A (Tc) 14 mOhm @ 44A, 10V 4V @ 100µA 140nC @ 10V 3550pF @ 50V 10V ±20V
TSM080N03PQ56 RLG
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PDFN (5x6) 69W (Tc) N-Channel 30V 73A (Tc) 8 mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 14.4nC @ 10V 843pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
PSMN6R0-25YLB,115
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 25V 73A LL LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 58W (Tc) N-Channel 25V 73A (Tc) 6.1 mOhm @ 20A, 10V 1.95V @ 1mA 19.3nC @ 10V 1099pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
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