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漏极-源极电压(Vdss) :
Vgs(最大值) :
7 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI7186DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 64W (Tc) N-Channel - 80V 32A (Tc) 12.5 mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 250µA 70nC @ 10V 2840pF @ 40V 10V ±20V
NTD6414ANT4G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 32A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 100W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 37 mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 40nC @ 10V 1450pF @ 25V 10V ±20V
PSMN013-30YLC,115
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RFQ
2,311
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SC-100, SOT-669 LFPAK56, Power-SO8 26W (Tc) N-Channel - 30V 32A (Tc) 13.6 mOhm @ 10A, 10V 1.95V @ 1mA 8.3nC @ 10V 521pF @ 15V 10V ±20V
IRFR3411TRPBF
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2,186
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 32A DPAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 130W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 44 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 71nC @ 10V 1960pF @ 25V 10V ±20V
PSMN034-100BS,118
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1,098
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 86W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 34.5 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 23.8nC @ 10V 1201pF @ 50V 10V ±20V
STD30N10F7
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RFQ
2,214
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 35A DPAK DeepGATE™, STripFET™ VII Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 50W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 24 mOhm @ 16A, 10V 4.5V @ 250µA 19nC @ 10V 1270pF @ 50V 10V 20V
TPH8R80ANH,L1Q
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RFQ
696
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP U-MOSVIII-H Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 1.6W (Ta), 61W (Tc) N-Channel - 100V 32A (Tc) 8.8 mOhm @ 16A, 10V 4V @ 500µA 33nC @ 10V 2800pF @ 50V 10V ±20V
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