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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
10 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7494TRPBF
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RFQ
2,903
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel 150V 5.1A (Ta) 44 mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 53nC @ 10V 1783pF @ 25V 10V ±20V
PMN35EN,125
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852
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-74, SOT-457 6-TSOP 500mW (Ta) N-Channel 30V 5.1A (Ta) 31 mOhm @ 5.1A, 10V 2.5V @ 250µA 9.3nC @ 10V 334pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRFH5020TR2PBF
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881
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) N-Channel 200V 5.1A (Ta) 55 mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 150µA 54nC @ 10V 2290pF @ 100V 10V ±20V
IRFH5020TRPBF
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1,655
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 3.6W (Ta) N-Channel 200V 5.1A (Ta) 55 mOhm @ 7.5A, 10V 5V @ 150µA 54nC @ 10V 2290pF @ 100V 10V ±20V
IRF7815TRPBF
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1,060
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel 150V 5.1A (Ta) 43 mOhm @ 3.1A, 10V 5V @ 100µA 38nC @ 10V 1647pF @ 75V 10V ±20V
MCQ9435-TP
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2,205
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Micro Commercial Co P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 1.4W (Ta) P-Channel 30V 5.1A (Ta) 105 mOhm @ 2A, 4.5V 2V @ 250µA 40nC @ 10V - 10V ±20V
NTLUS3A18PZTAG
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2,861
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN µCool™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel 20V 5.1A (Ta) 18 mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 4.5V 2240pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
IRFL024ZTRPBF
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3,002
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA SOT-223 1W (Ta) N-Channel 55V 5.1A (Ta) 57.5 mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14nC @ 10V 340pF @ 25V 10V ±20V
SI3460DV-T1-E3
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2,891
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 1.1W (Ta) N-Channel 20V 5.1A (Ta) 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V 450mV @ 1mA (Min) 20nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
NTLUS3A18PZTCG
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1,244
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel 20V 5.1A (Ta) 18 mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 28nC @ 4.5V 2240pF @ 15V 1.5V, 4.5V ±8V
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