- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
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- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,020
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 | CoolMOS™ P7 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-PowerTSFN | PG-VSON-4 | 81W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 19A (Tc) | 185 mOhm @ 5.6A, 10V | 4V @ 280µA | 25nC @ 10V | 1081pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,182
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3 | CoolMOS™ C7 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | PG-TO263-3 | 92W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 19A (Tc) | 120 mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 390µA | 34nC @ 10V | 1500pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,458
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK | MDmesh™ II | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 160W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 19A (Tc) | 190 mOhm @ 9.5A, 10V | 4V @ 250µA | 70nC @ 10V | 2500pF @ 50V | 10V | ±25V |