- 零件状态 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,417
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 220V 7.3A 8HVSON | TrenchMOS™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | 50W (Tc) | N-Channel | 220V | 7.3A (Tc) | 386 mOhm @ 2.6A, 10V | 4V @ 1mA | 13.2nC @ 10V | 656pF @ 30V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,532
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP | UniFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-MLP (3.3x3.3) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | N-Channel | 220V | 1A (Ta), 7A (Tc) | 366 mOhm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 18nC @ 10V | 1180pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,697
有现货
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236AB (SOT23) | 360mW (Ta) | P-Channel | 220V | 120mA (Tj) | 12 Ohm @ 200mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | 110pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |