- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,387
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 | U-MOSIII | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SMD, Flat Lead | VS-8 (2.9x1.5) | 330mW (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 2.7A (Ta) | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V | 1.2V @ 200µA | 6nC @ 5V | 470pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,386
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV | U-MOSIII | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | UFV | 500mW (Ta) | N-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 30V | 1.9A (Ta) | 133 mOhm @ 1A, 4V | 1V @ 1mA | 1.9nC @ 4V | 123pF @ 15V | 1.8V, 4V | ±12V | ||
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获得报价 |
2,347
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV | U-MOSIII | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead | UFV | 500mW (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 1.5A (Ta) | 213 mOhm @ 1A, 4V | 1V @ 1mA | 6.4nC @ 4V | 250pF @ 10V | 1.8V, 4V | ±8V |
粤ICP备2022113175号-1