- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,312
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-MLP (3.3x3.3) | 42W (Tc) | P-Channel | - | 150V | 3A (Tc) | 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V | 5V @ 250µA | 9nC @ 10V | 270pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
1,399
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | P-Channel | - | 150V | 8.9A (Tc) | 315 mOhm @ 2.4A, 10V | 4V @ 250µA | 30nC @ 10V | 880pF @ 75V | 7.5V, 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
929
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | P-Channel | - | 150V | 2.8A (Tc) | 1.2 Ohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 250µA | 9.8nC @ 10V | 365pF @ 75V | 6V, 10V | ±30V |