- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,069
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerVDFN | 6-PQFN (2x2) | 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 7.2A (Ta), 15A (Tc) | 31 mOhm @ 8.5A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 12nC @ 10V | 877pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
2,893
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerVDFN | 6-PQFN (2x2) | 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 7.2A (Ta), 15A (Tc) | 31 mOhm @ 8.5A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 12nC @ 10V | 877pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,384
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | 1.3W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 4.3A (Ta) | 54 mOhm @ 4.3A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 6.9nC @ 4.5V | 570pF @ 16V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
743
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | 1.3W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2.6A (Ta) | 135 mOhm @ 2.6A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 2.9nC @ 4.5V | 220pF @ 16V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,775
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | 6-TSOP | 2W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 6.9A (Ta) | 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 12nC @ 4.5V | 905pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V |