- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,234
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | 1.3W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 3.7A (Ta) | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 12nC @ 5V | 633pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,182
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | 540mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 780mA (Ta) | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 3.6nC @ 4.45V | 97pF @ 15V | 2.7V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,384
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | 1.3W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 4.3A (Ta) | 54 mOhm @ 4.3A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 6.9nC @ 4.5V | 570pF @ 16V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
743
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Micro3™/SOT-23 | 1.3W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2.6A (Ta) | 135 mOhm @ 2.6A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 2.9nC @ 4.5V | 220pF @ 16V | 2.5V, 4.5V | ±12V |