- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,855
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2.6A (Ta) | 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1V @ 1mA | 4.7nC @ 4.5V | 290pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,789
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, WLBGA | U-WLB1010-4 | 820mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 2.6A (Ta) | 102 mOhm @ 500mA, 4.5V | 1V @ 250µA | 3.7nC @ 4.5V | 251pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | -5V | ||
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获得报价 |
3,258
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN | µCool™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerUFDFN | 6-UDFN (1.6x1.6) | 600mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2.6A (Ta) | 62 mOhm @ 4A, 4.5V | 1V @ 250µA | 12.3nC @ 4.5V | 950pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,424
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-XFBGA, WLCSP | 4-WLCSP (0.8x0.8) | 1.3W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 2.6A (Ta) | 140 mOhm @ 2A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 8.8nC @ 4.5V | 555pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±8V |
粤ICP备2022113175号-1