- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,417
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.6W (Ta), 2.5W (Tc) | P-Channel | 20V | 2.5A (Tc) | 250 mOhm @ 1A, 10V | 3V @ 250µA | 15nC @ 10V | 270pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,662
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6 | STripFET™ II | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | SOT-23-6 | 1.6W (Tc) | P-Channel | 60V | 2A (Tc) | 250 mOhm @ 1A, 10V | 1V @ 250µA | 7nC @ 10V | 313pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±15V | ||
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获得报价 |
2,754
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 1.8W (Ta), 14W (Tc) | P-Channel | 60V | 2.1A (Ta) | 250 mOhm @ 1A, 10V | 3V @ 250µA | 9.7nC @ 10V | 551pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V |