- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,884
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-WDFN (3.3x3.3) | 3.2W (Ta), 40W (Tc) | P-Channel | 60V | 5.7A (Ta) | 52 mOhm @ 6A, 10V | 3V @ 250µA | 25nC @ 10V | 1258pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,322
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 | 1.3W | P-Channel | 60V | 5.7A (Ta) | 50 mOhm @ 5A, 10V | 3V @ 250µA | 30nC @ 10V | 2.163nF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,668
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A SOT26 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | SOT-26 | 1.6W (Ta) | P-Channel | 30V | 5.7A (Ta) | 48 mOhm @ 5.3A, 10V | 3V @ 250µA | 18.09nC @ 10V | 1047.98pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,230
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.5W (Ta) | P-Channel | 30V | 5.7A (Ta) | 30 mOhm @ 7.5A, 10V | 3V @ 250µA | 20nC @ 5V | - | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1