- 零件状态 :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,504
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23 | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 2W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 2.5A (Tc) | 150 mOhm @ 2.4A, 10V | 2.5V @ 250µA | 17nC @ 10V | 545pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,417
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.6W (Ta), 2.5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 2.5A (Tc) | 250 mOhm @ 1A, 10V | 3V @ 250µA | 15nC @ 10V | 270pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,225
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 30V SOT23 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236 (SOT-23) | 1.9W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 2.5A (Tc) | 170 mOhm @ 1.8A, 10V | 2.5V @ 250µA | 6.8nC @ 10V | 210pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |