- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
745
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® ChipFET™ Single | PowerPAK® ChipFet Single | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 25A (Tc) | 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V | 1V @ 250µA | 120nC @ 8V | 4300pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,904
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® ChipFET™ Single | PowerPAK® ChipFet Single | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 25A (Tc) | 9.8 mOhm @ 10A, 4.5V | 1V @ 250µA | 120nC @ 8V | 4300pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,536
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | 42W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 36A (Tc) | 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V | 1.2V @ 1mA | 65nC @ 5V | 4300pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V |