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供应商设备包 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
2 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI3127DV-T1-GE3
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1,627
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 2W (Ta), 4.2W (Tc) P-Channel 60V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 89 mOhm @ 1.5A, 4.5V 3V @ 250µA 30nC @ 10V 833pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
ZXMP4A57E6TA
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RFQ
3,565
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 SOT-26 1.1W (Ta) P-Channel 40V 2.9A (Ta) 80 mOhm @ 4A, 10V 3V @ 250µA 15.8nC @ 10V 833pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
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