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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SPD08P06PGBTMA1
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RFQ
1,020
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252 SIPMOS® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 42W (Tc) P-Channel - 60V 8.83A (Ta) 300 mOhm @ 10A, 6.2V 4V @ 250µA 13nC @ 10V 420pF @ 25V 6.2V ±20V
SPD08P06PGBTMA1
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RFQ
2,682
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252 SIPMOS® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 42W (Tc) P-Channel - 60V 8.83A (Ta) 300 mOhm @ 10A, 6.2V 4V @ 250µA 13nC @ 10V 420pF @ 25V 6.2V ±20V
STT3PF30L
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RFQ
758
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 STripFET™ II Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 SOT-23-6 1.6W (Tc) P-Channel - 30V 2.4A (Tc) 165 mOhm @ 1.5A, 10V 2.5V @ 250µA 7nC @ 4.5V 420pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
FQD4P25TM-WS
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RFQ
1,608
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK QFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 45W (Tc) P-Channel - 250V 3.1A (Tc) 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V 5V @ 250µA 14nC @ 10V 420pF @ 25V 10V ±30V
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