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供应商设备包 :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
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输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SSM6J414TU,LF
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P CH 20V 6A UF6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 6-SMD, Flat Leads UF6 1W (Ta) P-Channel - 20V 6A (Ta) 22.5 mOhm @ 6A, 4.5V 1V @ 1mA 23.1nC @ 4.5V 1650pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
DMP2035UVT-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TSOT-26 1.2W (Ta) P-Channel - 20V 6A (Ta) 35 mOhm @ 4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 23.1nC @ 4.5V 2400pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±12V
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26 Automotive, AEC-Q101 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TSOT-26 2W (Ta) P-Channel - 20V 7.2A (Ta) 35 mOhm @ 4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 23.1nC @ 4.5V 2400pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±12V
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