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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTLJS3113PT1G
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN µCool™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN (2x2) 700mW (Ta) P-Channel 20V 3.5A (Ta) 40 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 15.7nC @ 4.5V 1329pF @ 16V 1.5V, 4.5V ±8V
PMV50UPE,215
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RFQ
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Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236AB (SOT23) 500mW (Ta) P-Channel 20V 3.2A (Ta) 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V 900mV @ 250µA 15.7nC @ 4.5V 24pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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