- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,744
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 150V 1A MLP | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerWDFN | 8-MLP (3.3x3.3) | 2.3W (Ta), 16W (Tc) | P-Channel | - | 150V | 1A (Ta), 1.8A (Tc) | 1.2 Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 4nC @ 10V | 210pF @ 75V | 6V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,436
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 0.4A | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-UFDFN | X1-DFN1006-3 | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 30V | 400mA (Ta) | 2.4 Ohm @ 200mA, 10V | 2.3V @ 250µA | 4nC @ 10V | 100pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,766
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WDFN Exposed Pad | 6-MicroFET (2x2) | 2.4W (Ta) | P-Channel | - | 150V | 1A (Ta) | 1.2 Ohm @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 4nC @ 10V | 210pF @ 75V | 6V, 10V | ±25V |