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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDMC86265P
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 150V 1A MLP PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP (3.3x3.3) 2.3W (Ta), 16W (Tc) P-Channel - 150V 1A (Ta), 1.8A (Tc) 1.2 Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 4nC @ 10V 210pF @ 75V 6V, 10V ±25V
DMP32D5SFB-7B
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RFQ
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 0.4A - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-UFDFN X1-DFN1006-3 500mW (Ta) P-Channel - 30V 400mA (Ta) 2.4 Ohm @ 200mA, 10V 2.3V @ 250µA 4nC @ 10V 100pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
FDMA86265P
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-MicroFET (2x2) 2.4W (Ta) P-Channel - 150V 1A (Ta) 1.2 Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 4nC @ 10V 210pF @ 75V 6V, 10V ±25V
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