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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7406GTRPBF
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RFQ
3,489
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) P-Channel - 30V 5.8A (Ta) 45 mOhm @ 2.8A, 10V 1V @ 250µA 59nC @ 10V 1100pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
FDMB668P
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RFQ
2,627
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 PowerTrench® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 1.9W (Ta) P-Channel - 20V 6.1A (Ta) 35 mOhm @ 6.1A, 4.5V 1V @ 250µA 59nC @ 10V 2085pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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RFQ
2,651
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S PowerPAK® 1212-8S 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel - 30V 13.9A (Ta), 35A (Tc) 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V 2.5V @ 250µA 59nC @ 10V 1800pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
FDMS86163P
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RFQ
2,663
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56 PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-PQFN (5x6) 2.5W (Ta), 104W (Tc) P-Channel - 100V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 22 mOhm @ 7.9A, 10V 4V @ 250µA 59nC @ 10V 4085pF @ 50V 6V, 10V ±25V
IRF7406TRPBF
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3,252
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) P-Channel - 30V 5.8A (Ta) 45 mOhm @ 2.8A, 10V 1V @ 250µA 59nC @ 10V 1100pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
IPD50P04P4L11ATMA1
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RFQ
1,456
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-313 58W (Tc) P-Channel - 40V 50A (Tc) 10.6 mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 85µA 59nC @ 10V 3900pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
SI7617DN-T1-GE3
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RFQ
1,996
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) P-Channel - 30V 35A (Tc) 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V 2.5V @ 250µA 59nC @ 10V 1800pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
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