- 零件状态 :
- 包装/箱 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,142
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-75, SOT-416 | SC-75 | 250mW (Ta), 770mW (Tc) | P-Channel | - | 20V | 480mA (Ta) | 850 mOhm @ 400mA, 4.5V | 1.3V @ 250µA | 1.14nC @ 4.5V | 87pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,199
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-XFDFN | 3-DFN1006B (0.6x1) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 680mA (Ta) | 850 mOhm @ 400mA, 4.5V | 1.3V @ 250µA | 1.14nC @ 4.5V | 87pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,822
有现货
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-XFDFN | 3-PICOSTAR | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 12V | 2.3A (Ta) | 175 mOhm @ 500mA, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 1.14nC @ 4.5V | 236pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | -8V |