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供应商设备包 :
功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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2 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSR316PH6327XTSA1
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RFQ
1,891
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 SIPMOS® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SC-59 500mW (Tc) P-Channel - 100V 360mA (Ta) 1.8 Ohm @ 360mA, 10V 1V @ 170µA 7nC @ 10V 165pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
STT2PF60L
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RFQ
3,662
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6 STripFET™ II Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 SOT-23-6 1.6W (Tc) P-Channel - 60V 2A (Tc) 250 mOhm @ 1A, 10V 1V @ 250µA 7nC @ 10V 313pF @ 25V 4.5V, 10V ±15V
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