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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Vgs(th)(最大)@Id :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FQD4P40TM-AM002
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2,096
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 400V 2.7A QFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 50W (Tc) P-Channel - 400V 2.7A (Tc) 3.1 Ohm @ 1.35A, 10V 5V @ 250µA 23nC @ 10V 680pF @ 25V 10V ±30V
FQD4P40TM
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725
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK QFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 50W (Tc) P-Channel - 400V 2.7A (Tc) 3.1 Ohm @ 1.35A, 10V 5V @ 250µA 23nC @ 10V 680pF @ 25V 10V ±30V
SIA817EDJ-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6 LITTLE FOOT® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) P-Channel Schottky Diode (Body) 30V 4.5A (Tc) 65 mOhm @ 3A, 10V 1.3V @ 250µA 23nC @ 10V 600pF @ 15V 2.5V, 10V ±12V
FQD3P50TM
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK QFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 2.5W (Ta), 50W (Tc) P-Channel - 500V 2.1A (Tc) 4.9 Ohm @ 1.05A, 10V 5V @ 250µA 23nC @ 10V 660pF @ 25V 10V ±30V
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