- 工作温度 :
- 包装/箱 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,349
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-723 | VESM | 150mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 800mA (Ta) | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V | - | - | 100pF @ 10V | 1.2V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,170
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3 | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Surface Mount | SC-101, SOT-883 | CST3 | 500mW (Ta) | P-Channel | - | 20V | 1.4A (Ta) | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 1.6nC @ 4.5V | 100pF @ 10V | 1.2V, 4.5V | ±8V |