- 系列 :
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- 功耗(最大) :
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- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,431
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 3.13W (Ta), 120W (Tc) | P-Channel | - | 200V | 11.5A (Tc) | 470 mOhm @ 5.75A, 10V | 5V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1200pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
3,046
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 12V | 11.5A (Tc) | 14 mOhm @ 11.5A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 38nC @ 4.5V | 3529pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |