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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMP6023LFG-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN PowerDI3333-8 1W (Ta) P-Channel - 60V 7.7A (Ta) 25 mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 53.1nC @ 10V 2569pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
SI8851EDB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 30-XFBGA Power Micro Foot® (2.4x2) 660mW (Ta) P-Channel - 20V 7.7A (Ta) 8 mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 180nC @ 8V 6900pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
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