- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,847
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 9.2A (Ta) | 19.4 mOhm @ 9.2A, 10V | 2.4V @ 25µA | 38nC @ 10V | 1110pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,712
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 9.2A (Ta) | 13.3 mOhm @ 9.2A, 20V | 2.4V @ 25µA | 38nC @ 10V | 1110pF @ 25V | 10V, 20V | ±25V | ||
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获得报价 |
1,707
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerUDFN | U-DFN2523-6 | 1W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 9.2A (Ta) | 16 mOhm @ 3.6A, 4.5V | 1.2V @ 200µA | 113nC @ 10V | 4748pF @ 10V | 1.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,869
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | P-DSO-8 | 1.56W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 9.2A (Ta) | 13 mOhm @ 11.7A, 10V | 2.2V @ 140µA | 81nC @ 10V | 3520pF @ 25V | 10V | ±25V |
粤ICP备2022113175号-1