- 零件状态 :
- Vgs（th）（最大）@Id :
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- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
6 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,183
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP | 1.05W (Ta) | P-Channel | 20V | 6.2A (Ta) | 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 60nC @ 5V | - | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,870
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP | 1.05W (Ta) | P-Channel | 20V | 6.2A (Ta) | 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 60nC @ 5V | - | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,840
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UDFN Exposed Pad | U-DFN2020-6 (Type E) | 660mW (Ta) | P-Channel | 20V | 6.2A (Ta) | 36 mOhm @ 4.6A, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 14.4nC @ 4.5V | 1537pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,479
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | 40V | 6.2A (Ta) | 41 mOhm @ 6.2A, 10V | 3V @ 250µA | 80nC @ 10V | 3220pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,295
有现货
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC | 3.1W (Ta) | P-Channel | 60V | 6.2A (Ta) | 40 mOhm @ 6.2A, 10V | 3V @ 250µA | 55nC @ 10V | 2900pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,611
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 12V 6WLCSP | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-XFBGA, WLCSP | 6-WLCSP (1.48x.98) | 556mW (Ta), 12.5W (Tc) | P-Channel | 12V | 6.2A (Ta) | 25 mOhm @ 3A, 4.5V | 900mV @ 250µA | 29.4nC @ 4.5V | 1400pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | ±8V |
粤ICP备2022113175号-1