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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SQS481ENW-T1_GE3
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RFQ
909
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 62.5W (Tc) P-Channel 150V 4.7A (Tc) 1.095 Ohm @ 5A, 10V 3.5V @ 250µA 11nC @ 10V 385pF @ 75V 10V ±20V
SI9407BDY-T1-GE3
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RFQ
812
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.4W (Ta), 5W (Tc) P-Channel 60V 4.7A (Tc) 120 mOhm @ 3.2A, 10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V 600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
SI9407BDY-T1-E3
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RFQ
3,035
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 5W (Tc) P-Channel 60V 4.7A (Tc) 120 mOhm @ 3.2A, 10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V 600pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
TSM600P03CS RLG
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RFQ
1,453
有现货
Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOP 2.1W (Tc) P-Channel 30V 4.7A (Tc) 60 mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 9.6nC @ 4.5V 560pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
TSM500P02CX RFG
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RFQ
2,940
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 1.56W (Tc) P-Channel 20V 4.7A (Tc) 50 mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 9.6nC @ 4.5V 850pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±10V
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