- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
630
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP | 1W (Ta) | P-Channel | - | 60V | 2.2A (Ta) | 115 mOhm @ 2.7A, 10V | 3V @ 250µA | 22nC @ 10V | - | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,384
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP | 1W (Ta) | P-Channel | - | 60V | 2.2A (Ta) | 115 mOhm @ 2.7A, 10V | 3V @ 250µA | 22nC @ 10V | - | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
979
有现货
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, DSBGA | 4-DSBGA (1x1) | 1W (Ta) | P-Channel | - | 12V | 2.2A (Ta) | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V | 900mV @ 250µA | 3.8nC @ 4.5V | 512pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | -6V | |||
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获得报价 |
841
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 150V | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1W (Ta) | P-Channel | - | 150V | 2.2A (Ta) | 255 mOhm @ 2.2A, 10V | 4V @ 250µA | 16nC @ 10V | 1130pF @ 75V | 6V, 10V | ±25V | |||
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获得报价 |
1,731
有现货
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, DSBGA | 4-DSBGA (1x1) | 1W (Ta) | P-Channel | - | 12V | 2.2A (Ta) | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V | 900mV @ 250µA | 3.8nC @ 4.5V | 512pF @ 6V | 1.5V, 4.5V | -6V |