- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
1,852
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) | P-Channel | - | 8V | 5.4A (Tc) | 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 15nC @ 4.5V | 740pF @ 4V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
|
|
获得报价 |
3,833
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 5.4A (Tc) | 60 mOhm @ 5.4A, 4.5V | 700mV @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 780pF @ 15V | 2.7V, 4.5V | ±12V | ||
|
|
|
获得报价 |
1,273
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) | P-Channel | - | 8V | 5.4A (Tc) | 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 15nC @ 4.5V | 740pF @ 4V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
,%20SC-63.JPG)
|
|
获得报价 |
719
有现货
|
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK | QFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 5.4A (Tc) | 451 mOhm @ 2.7A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2nC @ 10V | 295pF @ 25V | 10V | ±25V |
粤ICP备2022113175号-1