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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
1,390
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Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 40V TO-252 TrenchFET® Gen IV Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252AA 50W (Tc) P-Channel - 40V 42A (Tc) 12 mOhm @ 17.5A, 10V 2.5V @ 250µA 112nC @ 10V 5340pF @ 20V 4.5V, 10V ±20V
STL42P6LLF6
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RFQ
1,649
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 100W (Tc) P-Channel - 60V 42A (Tc) 26 mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 4.5V 3780pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
AUIRF4905STRL
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RFQ
2,812
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 170W (Tc) P-Channel - 55V 42A (Tc) 20 mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180nC @ 10V 3500pF @ 25V 10V ±20V
IRF4905STRLPBF
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RFQ
1,739
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 170W (Tc) P-Channel - 55V 42A (Tc) 20 mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180nC @ 10V 3500pF @ 25V 10V ±20V
STL42P4LLF6
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RFQ
2,850
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 75W (Tc) P-Channel - 40V 42A (Tc) 18 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 4.5V 2850pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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