- 功耗(最大) :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,448
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | FETKY™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | - | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2W (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 55V | 3.4A (Ta) | 105 mOhm @ 3.4A, 10V | 1V @ 250µA | 38nC @ 10V | 690pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,379
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 57W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 18A (Tc) | 110 mOhm @ 9.6A, 10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | 650pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,045
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK | STripFET™ II | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 300W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 80A (Tc) | 18 mOhm @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 258nC @ 10V | 5500pF @ 25V | 10V | ±16V |