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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTD20P06LT4G
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RFQ
1,091
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 65W (Tc) P-Channel - 60V 15.5A (Ta) 150 mOhm @ 7.5A, 5V 2V @ 250µA 26nC @ 5V 1190pF @ 25V 5V ±20V
RQ1E070RPTR
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RFQ
3,216
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead TSMT8 550mW (Ta) P-Channel - 30V 7A (Ta) 17 mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 26nC @ 5V 2700pF @ 10V 4V, 10V ±20V
SI8429DB-T1-E1
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RFQ
790
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, CSPBGA 4-Microfoot 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) P-Channel - 8V 11.7A (Tc) 35 mOhm @ 1A, 4.5V 800mV @ 250µA 26nC @ 5V 1640pF @ 4V 1.2V, 4.5V ±5V
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