- 系列 :
- 零件状态 :
- 工作温度 :
- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
- Vgs（最大值） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,469
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | P-Channel | - | 250V | 430mA (Ta) | 4 Ohm @ 430mA, 10V | 2V @ 370µA | 15.1nC @ 10V | 262pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,187
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 | SIPMOS® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | PG-SOT223-4 | 1.8W (Ta) | P-Channel | - | 250V | 430mA (Ta) | 4 Ohm @ 430mA, 10V | 2V @ 370µA | 15.1nC @ 10V | 262pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,292
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT23F | U-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C | Surface Mount | SOT-23-3 Flat Leads | SOT-23F | 2W (Ta) | P-Channel | - | 60V | 3.5A (Ta) | 134 mOhm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | 15.1nC @ 10V | 660pF @ 10V | 4V, 10V | +10V, -20V |
粤ICP备2022113175号-1