- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,842
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 | SIPMOS® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 128W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 15A (Tc) | 200 mOhm @ 11.3A, 10V | 2V @ 1.54mA | 62nC @ 10V | 1490pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,259
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-HSMT (3.2x3) | 2W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 12A (Ta) | 8 mOhm @ 12A, 10V | 2.5V @ 1mA | 62nC @ 10V | 3200pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,215
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.7W (Ta), 39W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 18A (Tc) | 25 mOhm @ 9.3A, 10V | 3V @ 250µA | 62nC @ 10V | 1980pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,424
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 30V | 11A (Ta) | 13 mOhm @ 11A, 10V | 3V @ 250µA | 62nC @ 10V | 2470pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±25V |