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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SPB80P06PGATMA1
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RFQ
1,522
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 SIPMOS® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB PG-TO263-3-2 340W (Tc) P-Channel - 60V 80A (Tc) 23 mOhm @ 64A, 10V 4V @ 5.5mA 173nC @ 10V 5033pF @ 25V 10V ±20V
STB80PF55T4
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RFQ
1,045
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK STripFET™ II Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 300W (Tc) P-Channel - 55V 80A (Tc) 18 mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 258nC @ 10V 5500pF @ 25V 10V ±16V
FDMC610P
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RFQ
3,849
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 12V 80A POWER33 PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN Power33 2.4W (Ta), 48W (Tc) P-Channel - 12V 80A (Tc) 3.9 mOhm @ 22A, 4.5V 1V @ 250µA 99nC @ 4.5V 1250pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
IPD80P03P4L07ATMA1
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RFQ
1,770
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 88W (Tc) P-Channel - 30V 80A (Tc) 6.8 mOhm @ 80A, 10V 2V @ 130µA 80nC @ 10V 5700pF @ 25V - -
DMPH1006UPSQ-13
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RFQ
2,495
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060 Automotive, AEC-Q101 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 3.2W P-Channel - 12V 80A (Tc) 6 mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 124nC @ 8V 6334pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±8V
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