- 零件状态 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,505
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC | TrenchMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 6.9W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 14.9A (Tc) | 19 mOhm @ 9.2A, 10V | 3V @ 250µA | 42nC @ 10V | 2100pF @ 25V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
3,523
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 150V | 700mA (Ta) | 2.4 Ohm @ 420mA, 10V | 5V @ 250µA | 9nC @ 10V | 150pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,383
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | P-Channel | - | 150V | 2.2A (Ta) | 240 mOhm @ 1.3A, 10V | 5V @ 250µA | 49nC @ 10V | 1280pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,581
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC | DeepGATE™, STripFET™ VI | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.7W (Tc) | P-Channel | - | 60V | - | 160 mOhm @ 1.5A, 10V | 4V @ 250µA | 6.4nC @ 10V | 340pF @ 48V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,813
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC | TrenchMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 6.9W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 14.9A (Tc) | 19 mOhm @ 9.2A, 10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | 2240pF @ 25V | 10V | ±20V |