- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,167
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 52W (Tc) | P-Channel | - | 20V | 18A (Tc) | 7.1 mOhm @ 20A, 10V | 1.2V @ 250µA | 181nC @ 10V | 5590pF @ 10V | 2.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,386
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 52W (Tc) | P-Channel | - | 150V | 8.9A (Tc) | 295 mOhm @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 42nC @ 10V | 1190pF @ 50V | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
778
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | 52W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 60A (Tc) | 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V | 1.6V @ 250µA | 46nC @ 2.5V | 5860pF @ 15V | 2.5V, 4.5V | ±12V |
粤ICP备2022113175号-1