- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
899
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 66W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 13A (Tc) | 205 mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 250µA | 58nC @ 10V | 760pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,017
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO252 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 66W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 20A (Tc) | 48 mOhm @ 8A, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.4nC @ 10V | 1250pF @ 30V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,295
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A DPAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 66W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 13A (Tc) | 205 mOhm @ 7.8A, 10V | 4V @ 250µA | 58nC @ 10V | 760pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1