- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,340
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | OptiMOS™ | Not For New Designs | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 12A (Ta), 22.5A (Tc) | 13 mOhm @ 22.5A, 10V | 2.2V @ 150µA | 73.1nC @ 10V | 3670pF @ 15V | 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
2,945
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 | OptiMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | PG-TDSON-8 | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) | 8.4 mOhm @ 50A, 10V | 3.1V @ 105µA | 58nC @ 10V | 4785pF @ 15V | 6V, 10V | ±25V |