- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,379
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 57W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 18A (Tc) | 110 mOhm @ 9.6A, 10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | 650pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,753
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8 | ThunderFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | 57W (Tc) | P-Channel | - | 100V | 23A (Tc) | 59 mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 15nC @ 4.5V | 1050pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,368
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212 | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) | 57W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 50A (Tc) | 5.1 mOhm @ 15A, 10V | 2.2V @ 250µA | 55nC @ 4.5V | 4660pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,434
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 57W (Tc) | P-Channel | - | 55V | 18A (Tc) | 110 mOhm @ 9.6A, 10V | 4V @ 250µA | 32nC @ 10V | 650pF @ 25V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1