- 零件状态 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
2,593
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 40V SO-8 | TrenchFET® Gen III | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | P-Channel | - | 40V | 9.9A (Ta), 14A (Tc) | 14.2 mOhm @ 10A, 10V | 2.3V @ 250µA | 100nC @ 10V | 4000pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,374
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC | TrenchFET® | Last Time Buy | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 11.6A (Tc) | 20.5 mOhm @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 36nC @ 10V | 1075pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±25V | ||
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获得报价 |
633
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 11.4A (Tc) | 24 mOhm @ 9.1A, 10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | 1350pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,075
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 11.4A (Tc) | 24 mOhm @ 9.1A, 10V | 3V @ 250µA | 50nC @ 10V | 1350pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1