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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
TPCF8B01(TE85L,F,M
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RFQ
3,387
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8 U-MOSIII Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead VS-8 (2.9x1.5) 330mW (Ta) P-Channel Schottky Diode (Isolated) 20V 2.7A (Ta) 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V 1.2V @ 200µA 6nC @ 5V 470pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
BS250FTA
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RFQ
2,951
有现货
Diodes Incorporated MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 330mW (Ta) P-Channel - 45V 90mA (Ta) 14 Ohm @ 200mA, 10V 3.5V @ 1mA - 25pF @ 10V 10V ±20V
SI1077X-T1-GE3
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RFQ
2,076
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC89-6 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 330mW (Ta) P-Channel - 20V - 78 mOhm @ 1.8A, 4.5V 1V @ 250µA 31.1nC @ 8V 965pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
ZVP3310FTA
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RFQ
936
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 330mW (Ta) P-Channel - 100V 75mA (Ta) 20 Ohm @ 150mA, 10V 3.5V @ 1mA - 50pF @ 25V 10V ±20V
ZVP3306FTA
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RFQ
3,570
有现货
Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 330mW (Ta) P-Channel - 60V 90mA (Ta) 14 Ohm @ 200mA, 10V 3.5V @ 1mA - 50pF @ 18V 10V ±20V
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