- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
618
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3 | 360mW (Ta) | P-Channel | - | 60V | 170mA (Ta) | 8 Ohm @ 170mA, 10V | 2V @ 20µA | 1.5nC @ 10V | 19pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,893
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 360mW (Ta) | P-Channel | - | 50V | 130mA (Ta) | 10 Ohm @ 100mA, 5V | 2V @ 1mA | - | 40pF @ 25V | 5V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,975
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 | SIPMOS® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3 | 360mW (Ta) | P-Channel | - | 60V | 330mA (Ta) | 2 Ohm @ 330mA, 10V | 2V @ 80µA | 3.57nC @ 10V | 78pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |