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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
STL8P4LLF6
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RFQ
1,549
有现货
STMicroelectronics MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 2.9W (Ta) P-Channel - 40V - 20.5 mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 4.5V 2850pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SISS71DN-T1-GE3
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RFQ
1,753
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8 ThunderFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 57W (Tc) P-Channel - 100V 23A (Tc) 59 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 15nC @ 4.5V 1050pF @ 50V 4.5V, 10V ±20V
STL42P6LLF6
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RFQ
1,649
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 100W (Tc) P-Channel - 60V 42A (Tc) 26 mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 4.5V 3780pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
SI5419DU-T1-GE3
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RFQ
1,369
有现货
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) 3.1W (Ta), 31W (Tc) P-Channel - 30V 12A (Tc) 20 mOhm @ 6.6A, 10V 2.5V @ 250µA 45nC @ 10V 1400pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
STL42P4LLF6
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RFQ
2,850
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT STripFET™ F6 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (5x6) 75W (Tc) P-Channel - 40V 42A (Tc) 18 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 22nC @ 4.5V 2850pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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