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驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
10 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI7655ADN-T1-GE3
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3,121
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 4.8W (Ta), 57W (Tc) P-Channel - 20V 40A (Tc) 3.6 mOhm @ 20A, 10V 1.1V @ 250µA 225nC @ 10V 6600pF @ 10V 2.5V, 10V ±12V
RQ3C150BCTB
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743
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-HSMT (3.2x3) 20W (Tc) P-Channel - 20V 30A (Tc) 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V 1.2V @ 1mA 60nC @ 4.5V 4800pF @ 10V 4.5V ±8V
CSD25404Q3
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2,767
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Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-VSON (3.3x3.3) 2.8W (Ta), 96W (Tc) P-Channel - 20V 104A (Tc) 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V 1.15V @ 250µA 14.1nC @ 4.5V 2120pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±12V
SI7655DN-T1-GE3
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1,587
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 4.8W (Ta), 57W (Tc) P-Channel - 20V 40A (Tc) 3.6 mOhm @ 20A, 10V 1.1V @ 250µA 225nC @ 10V 6600pF @ 10V 2.5V, 10V ±12V
TPH1R712MD,L1Q
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2,358
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-SOP Advance (5x5) 78W (Tc) P-Channel - 20V 60A (Tc) 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V 1.2V @ 1mA 182nC @ 5V 10900pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
SISS23DN-T1-GE3
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1,456
有现货
Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 4.8W (Ta), 57W (Tc) P-Channel - 20V 50A (Tc) 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V 900mV @ 250µA 300nC @ 10V 8840pF @ 15V 1.8V, 4.5V ±8V
STL9P2UH7
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1,200
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STMicroelectronics MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT STripFET™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerFlat™ (3.3x3.3) 2.9W (Tc) P-Channel - 20V 9A (Tc) 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V 1V @ 250µA 22nC @ 4.5V 2390pF @ 16V 1.5V, 4.5V ±8V
CSD25404Q3T
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1,369
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Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-VSON (3.3x3.3) 2.8W (Ta), 96W (Tc) P-Channel - 20V 104A (Tc) 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V 1.15V @ 250µA 14.1nC @ 4.5V 2120pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±12V
TPN4R712MD,L1Q
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2,536
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-TSON Advance (3.3x3.3) 42W (Tc) P-Channel - 20V 36A (Tc) 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V 1.2V @ 1mA 65nC @ 5V 4300pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
CSD25402Q3A
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2,868
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Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 76A 8SON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-VSON (3.3x3.3) 2.8W (Ta), 69W (Tc) P-Channel - 20V 76A (Tc) 8.9 mOhm @ 10A, 4.5V 1.15V @ 250µA 9.7nC @ 4.5V 1790pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±12V
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