- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
2 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,036
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-723 | VMT3 | 150mW (Ta) | P-Channel | 20V | 100mA (Ta) | 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V | 1V @ 100µA | 15pF @ 10V | 1.2V, 4.5V | ±10V | ||
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获得报价 |
2,243
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM | π-MOSVI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-723 | VESM | 150mW (Ta) | P-Channel | 20V | 100mA (Ta) | 8 Ohm @ 50mA, 4V | - | 12.2pF @ 3V | 1.2V, 4V | ±10V |