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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
13 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI1039X-T1-GE3
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2,354
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 170mW (Ta) P-Channel 12V 870mA (Ta) 165 mOhm @ 870mA, 4.5V 450mV @ 250µA (Min) 6nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
SI1067X-T1-E3
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1,114
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 236mW (Ta) P-Channel 20V - 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V 950mV @ 250µA 9.3nC @ 5V 375pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
SI1065X-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 236mW (Ta) P-Channel 12V - 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V 950mV @ 250µA 10.8nC @ 5V 480pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
SI1039X-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 170mW (Ta) P-Channel 12V 870mA (Ta) 165 mOhm @ 870mA, 4.5V 450mV @ 250µA (Min) 6nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
SSM6J53FE(TE85L,F)
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3,561
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 (1.6x1.6) 500mW (Ta) P-Channel 20V 1.8A (Ta) 136 mOhm @ 1A, 2.5V 1V @ 1mA 10.6nC @ 4V 568pF @ 10V 1.5V, 2.5V ±8V
SI1065X-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 236mW (Ta) P-Channel 12V - 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V 950mV @ 250µA 10.8nC @ 5V 480pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
SSM6J213FE(TE85L,F
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1,855
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 500mW (Ta) P-Channel 20V 2.6A (Ta) 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V 290pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI1077X-T1-GE3
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2,076
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC89-6 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SC-89-6 330mW (Ta) P-Channel 20V - 78 mOhm @ 1.8A, 4.5V 1V @ 250µA 31.1nC @ 8V 965pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SSM6J215FE(TE85L,F
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1,616
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 500mW (Ta) P-Channel 20V 3.4A (Ta) 59 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 10.4nC @ 4.5V 630pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SSM6J206FE(TE85L,F
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2,621
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 2A ES6 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 (1.6x1.6) 500mW (Ta) P-Channel 20V 2A (Ta) 130 mOhm @ 1A, 4V 1V @ 1mA - 335pF @ 10V 1.8V, 4V ±8V
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3,958
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 700mW (Ta) P-Channel 12V 4.8A (Ta) 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V 1V @ 1mA 12.7nC @ 4.5V 1040pF @ 12V 1.5V, 4.5V ±8V
SSM6J212FE,LF
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3,803
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 4A ES6 U-MOSVI Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 ES6 500mW (Ta) P-Channel 20V 4A (Ta) 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 14.1nC @ 4.5V 970pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
NTZS3151PT1G
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2,002
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SOT-563, SOT-666 SOT-563 170mW (Ta) P-Channel 20V 860mA (Ta) 150 mOhm @ 950mA, 4.5V 1V @ 250µA 5.6nC @ 4.5V 458pF @ 16V 1.8V, 4.5V ±8V
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