- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,628
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A SOT563 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | SOT-563/SCH6 | 800mW (Ta) | P-Channel | 30V | 2A (Ta) | 150 mOhm @ 1A, 10V | 2.6V @ 1mA | 3.9nC @ 10V | 172pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,768
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | 6-WEMT | 400mW (Ta) | P-Channel | 30V | 1.5A (Ta) | 160 mOhm @ 1.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 6.5nC @ 10V | 230pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,157
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | 6-WEMT | 700mW (Ta) | P-Channel | 30V | 2.5A (Ta) | 75 mOhm @ 2.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 5.2nC @ 5V | 480pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,776
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | U-MOSII | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 (1.6x1.6) | 500mW (Ta) | P-Channel | 30V | 1.4A (Ta) | 251 mOhm @ 650mA, 10V | 2.6V @ 1mA | - | 137pF @ 15V | 4V, 10V | ±20V |